MOSFET (Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistör) transistörü, elektronik cihazlarda elektronik sinyallerin değiştirilmesi ve güçlendirilmesi için yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken cihazdır. MOSFET, entegre devrenin bir çekirdeğidir ve bu çok küçük boyutlardan dolayı tek bir çipte tasarlanabilir ve imal edilebilir. MOSFET, kaynak (S), geçit (G), boşaltma (D) ve gövde (B) terminallerine sahip dört terminalli bir cihazdır. MOSFET gövdesini sıklıkla kaynak terminaline bağlar ve böylece alan etkili transistör gibi üç terminal bir cihaz haline getirir. MOSFET çok uzakta en yaygın transistördür ve hem analog hem de dijital devrelerde kullanılabilir.
MOSFET, yük taşıyıcılarının aktığı (elektronlar veya delikler) bir kanalın genişliğini elektronik olarak değiştirerek çalışır.
Yük taşıyıcılar kanalın içine girer ve drenaj yoluyla dışarı çıkar. Kanalın genişliği, bir elektroddaki voltajla kontrol edilir, buna kaynak ve dren arasında bulunan kapısı denir. Son derece ince bir metal oksit tabakası yakınındaki kanaldan izole edilmiştir. Cihazda bulunan MOS kapasitesi, ana parçadır.
MOSFET’in Çalışma Prensibi: MOSTFET’nin amacı, kaynak ve dren arasındaki voltaj ve akım akışını kontrol edebilmektir. Neredeyse bir anahtar gibi çalışır. MOSFET’in çalışması MOS kapasitörüne bağlıdır. MOS kapasitörü MOSFET’in ana parçasıdır. Kaynak ve dren terminali arasında bulunan aşağıdaki oksit tabakasındaki yarı iletken yüzey. Sırasıyla pozitif veya negatif bir kapı voltajı uygulayarak p-tipinden n-tipine çevrilebilir. Pozitif geçit voltajını uyguladığımızda, itme kuvveti ve oksijen tabakası altında bulunan delikler alt tabaka ile aşağı doğru itilir. Saptırma bölgesi, kabul eden atomlarla ilişkili bağlı negatif yüklerle doldurulur.
Elektronların ulaşma kanalı oluşturulur. Pozitif voltaj aynı zamanda n + kaynağından ve dren bölgelerinden elektronu kanalın içine çekmektedir. Şimdi, boşaltma ve kaynak arasında bir voltaj uygulanırsa, akım kaynak ve drain arasında serbestçe akar ve gate voltajı kanaldaki elektronları kontrol eder. Negatif voltaj yerine pozitif voltaj uygularsak, oksit tabakasının altında bir delik kanalı oluşturulur.